5月17日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体芯片的版图设计方法及版图设计系统”的专利。申请公布号为CN122047157A，申请号为CN202610475734.8，申请公布日期为2026年5月15日，申请日期为2026年4月13日，发明人杨杰、郭哲劭、郭廷晃，专利代理机构上海汉之律师事务所，专利代理师刘晓倩，分类号G06F30/392、G06F115/12。

　　专利摘要显示，本发明公开一种半导体芯片的版图设计方法及版图设计系统，属于半导体技术领域。所述版图设计方法包括：获取半导体芯片的版图数据文件，并从所述版图数据文件中提取包含栅极结构的栅极层文件和自对准金属硅化物层文件；根据所述自对准金属硅化物层文件和所述栅极层文件生成伪栅极信息；根据所述伪栅极信息生成金属高阻层文件，且形成的金属高阻层覆盖在伪栅极上。通过本发明，能够确保金属高阻层文件中金属高阻层的位置和伪栅极及伪栅极所在的有源区的位置重叠，实现版图和制造工艺的兼容性，从而提高制造良率。

　　晶合集成成立于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均涉及安徽省合肥市。它是国内领先的12英寸晶圆代工企业，具备先进工艺研发能力，投资价值凸显。

　　晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务，为客户提供多种制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。公司所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造，属于半导体产业、集成电路、半导体概念板块。

　　2025年，晶合集成营业收入为108.85亿元，在行业7家公司中排名第4，行业第一名中芯国际为673.23亿元，第二名华虹公司为172.91亿元，行业平均数为166.12亿元，中位数为108.85亿元。主营业务中，集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元，占比95.14%。净利润方面，2025年为4.66亿元，行业排名4/7，第一名中芯国际72.09亿元，第二名赛微电子13.88亿元，行业平均数9.67亿元，中位数4.66亿元。

　　合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

• 序号
• 专利名称
• 专利类型
• 法律状态
• 申请号
• 申请日期
• 公开(公告)号
• 公开(公告)日期
• 发明人
• 1半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610502429.32026-04-16CN122028719A2026-05-12李飞、董宗谕
• 2半导体器件及其制作方法发明专利公布CN202610500449.72026-04-16CN122028718A2026-05-12李飞、董宗谕
• 3一种半导体结构及其制造方法发明专利公布CN202610491922.X2026-04-15CN122054986A2026-05-15陈东、王晓娟、韩领、康绍磊
• 4半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610479111.82026-04-13CN122028725A2026-05-12宋富冉、刘乃硕
• 5光学临近效应修正模型的校正方法及数据采集方法发明专利公布CN202610476328.32026-04-13CN122018227A2026-05-12王康、罗招龙
• 6电性测试结构及其测试方法发明专利公布CN202610476299.02026-04-13CN122028713A2026-05-12刘站峰、汪小小、马婷、陈信全、张曼
• 7伽马电阻的阻值波动的监控方法发明专利公布CN202610475623.72026-04-13CN122028712A2026-05-12李健、邵迎亚、汪雪春
• 8一种半导体芯片的版图设计方法及版图设计系统发明专利公布CN202610475734.82026-04-13CN122047157A2026-05-15杨杰、郭哲劭、郭廷晃
• 9黄光制程曝光能量确定方法、电子设备和存储介质发明专利公布CN202610466856.02026-04-10CN121995712A2026-05-08胡玉明
• 10一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利公布CN202610466026.82026-04-10CN122003143A2026-05-08李雯琴、王文轩
• 11一种化学气相沉积设备及其温度控制方法发明专利公布CN202610468112.22026-04-10CN122013156A2026-05-12黄望望、王松、周丹玫、胡万春
• 12铝衬垫制备方法及半导体发明专利公布CN202610460164.52026-04-09CN121985860A2026-05-05张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕
• 13一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法发明专利公布CN202610458132.12026-04-09CN121985755A2026-05-05曹平、刘苏涛
• 14半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件发明专利公布CN202610460537.92026-04-09CN122003137A2026-05-08董琳、王仲盛、毛辰辰、姜攀
• 15半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件发明专利公布CN202610449908.32026-04-08CN121985808A2026-05-05伍德超、郝小强、梁健
• 16套刻标记结构及其制造方法、套刻标记尺寸选择方法发明专利公布CN202610442492.22026-04-07CN121978874A2026-05-05刘华龙、张祥平
• 17半浮栅晶体管及其制备方法、包含其的存储器件发明专利公布CN202610432589.52026-04-03CN121968657A2026-05-01李猛猛
• 18LDMOS器件及其制备方法发明专利公布CN202610433072.82026-04-03CN121968623A2026-05-01刘东山、吴其洪
• 19半导体结构制备方法及半导体结构发明专利公布CN202610435065.12026-04-03CN121985805A2026-05-05王文智
• 20电容结构及其制造方法发明专利公布CN202610436485.12026-04-03CN121985540A2026-05-05刘向阳、蔡承佑、丁美平、陆莹莹、周迪
• 21半导体测试结构及方法发明专利公布CN202610425182.X2026-04-02CN121969117A2026-05-01陈文璟、邵迎亚、汪雪春
• 22半导体测试结构及厚度测量方法发明专利公布CN202610427694.X2026-04-02CN121969118A2026-05-01张盖、王雪、梁栋栋
• 23图像传感结构、传感器及制备方法发明专利公布CN202610416871.42026-04-01CN121968751A2026-05-01陈维邦
• 24一种半导体设备参数整体变差自动识别方法及系统发明专利公布CN202610419236.12026-04-01CN121959384A2026-05-01姚晨辉、李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟
• 25机台差异识别方法、系统、电子设备和存储介质发明专利公布CN202610419232.32026-04-01CN121959064A2026-05-01李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟、徐孝清
• 26一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利公布CN202610416662.X2026-04-01CN121968622A2026-05-01吴彬彬、朱瑶
• 27一种半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610419234.22026-04-01CN121969040A2026-05-01牛昆龙、张晓亮
• 28漏电测试结构及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610405431.92026-03-31CN121933982A2026-04-28李响、丁峰、芮倩、汪小小
• 29一种半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610407639.42026-03-31CN121969039A2026-05-01何杨、张劲
• 30静电放电保护器件及其制作方法发明专利公布CN202610409574.72026-03-31CN121968726A2026-05-01王维安、程洋
• 31金属层图形预处理方法、修正目标图形及刻蚀方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610399687.32026-03-30CN121934314A2026-04-28赵广、罗招龙
• 32阶梯场板的制作方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610389259.22026-03-27CN121941093A2026-04-28王维安、程洋、朱敏
• 33一种半导体结构的制备方法发明专利公布CN202610385445.92026-03-27CN122028483A2026-05-12周纪、张伟、苏圣哲、运广涛、邵章朋
• 34晶体管沟道制备方法及晶体管、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610380634.72026-03-26CN121941088A2026-04-28方晓宇、刁勤超、郭宜婷
• 35半导体结构的制造方法和半导体结构发明专利公布CN202610380978.82026-03-26CN121968691A2026-05-01叶家顺、张浩、曹飞、董宗谕
• 36金属互连层及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610371023.62026-03-25CN121908875A2026-04-21运广涛、吴燕、苏圣哲、罗钦贤
• 37研磨时间的调整方法、研磨方法、装置、研磨机台及设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610371912.22026-03-25CN121928457A2026-04-28李颖超、金文祥、陈义元、彭萍、王伟祥
• 38一种电阻的测量结构、测量方法及集成电路发明专利实质审查的生效、公布CN202610361379.12026-03-24CN121899493A2026-04-21张培、季雨
• 39MOS晶体管的电流比离群值判定装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610363491.92026-03-24CN121899472A2026-04-21牟田哲也
• 40半导体结构及半导体器件的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610360205.32026-03-24CN121908661A2026-04-21李猛猛
• 41掩模图案的生成方法及装置、半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610345242.72026-03-20CN121888938A2026-04-17桑华煜、程洋、汪华
• 42半导体结构的制造方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610339571.02026-03-19CN121908612A2026-04-21运广涛、赫文振、阮钢、苏圣哲
• 43一种半导体器件的测试结构及测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610330738.72026-03-18CN121865901A2026-04-14尚正阳、王维安、程洋
• 44静态存储器的最小工作电压的调整方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610331131.02026-03-18CN121905249A2026-04-21田志锋
• 45一种半导体器件及制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610320005.52026-03-17CN121865655A2026-04-14尚正阳、王维安、杨宗凯
• 46一种金属场板的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610324950.22026-03-17CN121865673A2026-04-14尚正阳、王维安
• 47半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610321343.02026-03-17CN121888607A2026-04-17康绍磊
• 48一种半导体器件及其制备方法、集成电路发明专利实质审查的生效、公布CN202610320000.22026-03-17CN121908592A2026-04-21朱敏
• 49一种水溶性防护膜及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202610312126.52026-03-16CN121851828A2026-04-14葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、蔡马龙
• 50一种防护膜及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202610312129.92026-03-16CN121873627A2026-04-17葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、许雨芩

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